全新推出UJ3D系列UJ3D06520TS UJ3D1725K2 UJ3D1250K2 UJ3D1210KSD 650V/1200V/1700V SiC肖特基二极管

UnitedSiC UJ3D 650V/1200V/1700V SiC肖特基二极管旨在利用SiC优于标准硅的物理特性，动态特性提高4倍，正向电压(VF)降低15%。这些器件具有零反向恢复电荷和+175°C的最高结温，非常适合冷却要求最低的高频、高效率电源系统。

这些器件具有优化的正向压降、增强的浪涌能力和超低反向恢复Qc(Qrr)，非常适合电信电源、服务器PSU、电池充电器以及任何要求高开关速度和低损耗的应用。

UnitedSiC UJ3D 碳化硅 (SiC）二极管系列器件：
UJ3D06504TS
UJ3D06506TS
UJ3D06508TS
UJ3D06510TS
UJ3D06512TS
UJ3D06516TS
UJ3D06520TS
UJ3D1725K2
UJ3D1250K2
UJ3D1210KSD

应用
汽车电子
电源转换器
工业电机驱动
电信电源
服务器PSU
电池充电器
开关模式电源
功率因数校正模块

产品规格

（明佳达）UJ3D06520TS UJ3D1725K2 UJ3D1250K2 UJ3D1210KSD 650V/1200V/1700V SiC肖特基二极管

UJ3D06520TS 20 A, 650 V 肖特基二极管
封装 / 箱体：TO-220-2
配置：Single
技术：SiC
If – 正向电流：20 A
Vrrm – 重复反向电压：650 V
Vf – 正向电压：1.5 V
Ifsm – 正向浪涌电流：126 A
Ir – 反向电流 ：20 uA
最小工作温度：- 55°C
最大工作温度：+ 175°C
系列：UJ3D
资格：AEC-Q101
Pd-功率耗散：272.7 W
Vr – 反向电压 ：650 V

UJ3D1725K2 25 A, 1700 V 肖特基二极管
封装 / 箱体：TO-247-2
配置：Single
技术：SiC
If – 正向电流：25 A
Vrrm – 重复反向电压：1.7 kV
Vf – 正向电压：1.54 V
Ifsm – 正向浪涌电流：180 A
Ir – 反向电流 ：24 uA
最小工作温度：- 55°C
最大工作温度：+ 175°C
系列：UJ3D
资格：AEC-Q101
Pd-功率耗散：283 W
Vr – 反向电压 ：1.7 kV

UJ3D1250K2 50 A, 1200 V 肖特基二极管
封装 / 箱体：TO-247-2
配置：Single
技术：SiC
If – 正向电流：50 A
Vrrm – 重复反向电压：1.2 kV
Vf – 正向电压：1.5 V
Ifsm – 正向浪涌电流：275 A
Ir – 反向电流 ：52 uA
最小工作温度：- 55°C
最大工作温度：+ 175°C
系列：UJ3D
资格：AEC-Q101
Pd-功率耗散：319 W
Vr – 反向电压 ：1.2 kV

UJ3D1210KSD 10 A, 1200 V 肖特基二极管
封装 / 箱体：TO-247-3
配置：Dual
技术：SiC
If – 正向电流：10 A
Vrrm – 重复反向电压：1.2 kV
Vf – 正向电压：1.4 V
Ifsm – 正向浪涌电流：140 A
Ir – 反向电流 ：80 uA
最小工作温度：- 55°C
最大工作温度：+ 175°C
系列：UJ3D
资格：AEC-Q101
Pd-功率耗散：272 W
Vr – 反向电压 ：1.2 kV

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